TC58BVG0S3HBAI4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TC58BVG0S3HBAI4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TC58BVG0S3HBAI4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TC58BVG0S3HBAI4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TC58BVG0S3HBAI4
- رقم القطعة:
- TC58BVG0S3HBAI4
- الصانع:
- Toshiba Memory America, Inc.
- وصف:
- IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40263 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TC58BVG0S3HBAI4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 25ns |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | FLASH - NAND (SLC) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 63-TFBGA (9x11) |
| سلسلة: | Benand™ |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 63-VFBGA |
| اسماء اخرى: | TC58BVG0S3HBAI4JDH TC58BVG0S3HBAI4YCL |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 1Gb (128M x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11) |
| وقت الدخول: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC58BVG0S3HBAI4
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU