TC4626COE713 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TC4626COE713، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TC4626COE713 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TC4626COE713 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TC4626COE713
- رقم القطعة:
- TC4626COE713
- وصف:
- IC MOSFET DVR INV 1.5A 16SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58856 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TC4626COE713.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4 V ~ 6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 33ns, 27ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.4V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | High-Side or Low-Side |
| وصف تفصيلي: | High-Side or Low-Side Gate Driver IC Inverting 16-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 1.5A, 1.5A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| رقم جزء القاعدة: | TC4626 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC4626COE713
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل