TBPLLNN060PGUCV متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TBPLLNN060PGUCV، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TBPLLNN060PGUCV عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TBPLLNN060PGUCV مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TBPLLNN060PGUCV
- رقم القطعة:
- TBPLLNN060PGUCV
- وصف:
- SENSOR PRESSURE GAUGE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29662 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.TBPLLNN060PGUCV.pdf2.TBPLLNN060PGUCV.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.5 V ~ 12 V |
| إنهاء نمط: | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-SMT |
| سلسلة: | TBP |
| نوع الضغط: | Vented Gauge |
| ميناء نمط: | Barbless |
| ميناء الحجم: | Male - 0.13" (3.18mm) Tube |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, No Lead, Top Port |
| نوع المخرجات: | Wheatstone Bridge |
| الناتج: | 0 mV ~ 6.5 mV (5V) |
| اسماء اخرى: | 480-5843 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| ضغط التشغيل: | 60 PSI (413.69 kPa) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| أقصى ضغط: | 145 PSI (999.74 kPa) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Temperature Compensated |
| وصف تفصيلي: | Pressure Sensor 60 PSI (413.69 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 6.5 mV (5V) 6-SMD, No Lead, Top Port |
| دقة: | ±0.15% |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTBPLLNN060PGUCV
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل