T86D335K050EBSS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل T86D335K050EBSS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل T86D335K050EBSS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء T86D335K050EBSS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
T86D335K050EBSS
- رقم القطعة:
- T86D335K050EBSS
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT 3.3UF 50V 10% 2917
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 45168 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- T86D335K050EBSS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| سلسلة: | TANTAMOUNT®, T86 |
| تصنيفات: | COTS |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2917 (7343 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مصنع رمز حجم: | D |
| عمر @ درجة الحرارة.: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.122" (3.10mm) |
| الميزات: | Fail Safe with Built-in Fuse |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 2 Ohm |
| وصف تفصيلي: | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 2 Ohm |
| مواسعة: | 3.3µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لT86D335K050EBSS
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي