T58A0107M6R3C0150 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل T58A0107M6R3C0150، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل T58A0107M6R3C0150 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء T58A0107M6R3C0150 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
T58A0107M6R3C0150
- رقم القطعة:
- T58A0107M6R3C0150
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT POLY 100UF 6.3V SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29124 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- T58A0107M6R3C0150.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±20% |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | vPolyTan™ T58 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 718-2115-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | A0 |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| الميزات: | General Purpose |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 150 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 100µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 6.3V 1206 (3216 Metric) 150 mOhm |
| مواسعة: | 100µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لT58A0107M6R3C0150
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC