T55B685M025C0100 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل T55B685M025C0100، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل T55B685M025C0100 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء T55B685M025C0100 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
T55B685M025C0100
- رقم القطعة:
- T55B685M025C0100
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT POLY 6.8UF 25V 1411
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20270 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 25V |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±20% |
| حجم / البعد: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| سلسلة: | vPolyTan™ T55 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 1411 (3528 Metric) |
| اسماء اخرى: | 718-2169-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | B |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 1000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.083" (2.10mm) |
| الميزات: | General Purpose |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 100 mOhm @ 100kHz |
| وصف تفصيلي: | 6.8µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 25V 1411 (3528 Metric) 100 mOhm @ 100kHz |
| مواسعة: | 6.8µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لT55B685M025C0100
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي