T410-600H متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل T410-600H، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل T410-600H عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء T410-600H مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
T410-600H
- رقم القطعة:
- T410-600H
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- TRIAC SENS GATE 600V 4A IPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41894 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.T410-600H.pdf2.T410-600H.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الدولة معطلة: | 600V |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 1.3V |
| نوع صمام تحكم كهربائي: | Logic - Sensitive Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-PAK |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | 497-6753-5 T410-600H-ND T410600H |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 4A Through Hole I-PAK |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 4A |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 30A, 31A |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 15mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 10mA |
| ترتيب: | Single |
| رقم جزء القاعدة: | T41* |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لT410-600H
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار