T18D108M075EZUS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل T18D108M075EZUS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل T18D108M075EZUS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء T18D108M075EZUS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
T18D108M075EZUS
- رقم القطعة:
- T18D108M075EZUS
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT 1000UF 20% 75V AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45776 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- T18D108M075EZUS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 75V |
| اكتب: | Hermetically Sealed |
| تسامح: | ±20% |
| حجم / البعد: | 0.375" Dia x 1.062" L (9.52mm x 26.97mm) |
| سلسلة: | T18 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial, Can |
| اسماء اخرى: | T18D108M075T4EUZ T18D108M075T4EUZ-ND T18S108M075T4EUZ T18S108M075T4EUZ-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | D |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 125°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Wet Tantalum |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 500 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial, Can 500 mOhm |
| مواسعة: | 1000µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لT18D108M075EZUS
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة