SY10EP01VZG-TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SY10EP01VZG-TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SY10EP01VZG-TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SY10EP01VZG-TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SY10EP01VZG-TR
- رقم القطعة:
- SY10EP01VZG-TR
- وصف:
- IC GATE OR/NOR 3.3/5V 4IN 8-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25144 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SY10EP01VZG-TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | 10EP |
| شميت الزناد الإدخال: | No |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | Differential |
| اسماء اخرى: | SY10EP01VZG TR SY10EP01VZG TR-ND SY10EP01VZGTR SY10EP01VZGTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 4 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع المنطق: | NOR/OR Gate |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | NOR/OR Gate Configurable 1 Circuit 4 Input 8-SOIC |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | - |
| رقم جزء القاعدة: | 10EP01 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSY10EP01VZG-TR
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار