SV250115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SV250115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SV250115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SV250115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SV250115
- رقم القطعة:
- SV250115
- الصانع:
- Carlo Gavazzi
- وصف:
- LVL RLY CAP DPDT 115VAC
- كمية المخزون:
- 22183 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SV250115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 115VAC |
| إنهاء نمط: | Connector |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | SV |
| نوع الاستشعار: | Capacitive |
| الاستشعار عن بعد: | - |
| استجابة التردد: | - |
| حزمة / كيس: | Module |
| نوع المخرجات: | Relay |
| اسماء اخرى: | 1864-2177 |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 50°C |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| مادة - الجسم: | - |
| حماية الدخول: | IP20 |
| مؤشر: | LED |
| وصف تفصيلي: | Capacitive Proximity Sensor IP20 Module |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSV250115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SV260115 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 115VAC | تحقيق |
|
SV260724 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 24VDC | تحقيق |
 |
IMM37124C | Crouzet | IPD M12 NONSHLD 3W SPST 2M | تحقيق |
|
SV250724 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 24VDC | تحقيق |
 |
QPC1213 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | EMITTER-PHOTOSENSOR PAIR 3MM | تحقيق |
 |
IQ40-20BPSKC0K | SICK | SEN PROX PNP NO M12 SHRT | تحقيق |
|
IMA236515M8 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W NPN NC M8 | تحقيق |
|
UA30EAD35PKTI | Carlo Gavazzi | UPROX DR M30 0-10V+PNP CBL | تحقيق |
 |
E2EC-CR8D1-M1GJ 0.5M | Omron Automation & Safety | SENS PRX 3MMDIA .8MMDIST DC2W-NO | تحقيق |
|
SV260024 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 24VAC | تحقيق |
|
IMN223010M12 | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST M12 | تحقيق |
|
SV250230 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 230VAC | تحقيق |
|
IA18FSF05NOM1 | Carlo Gavazzi | SEN PROX MTL FACE M18 NPN NO | تحقيق |
 |
STE-1189976RFIS | steute Wireless | INDUCTIVE SENSOR FOR UNIVERSAL T | تحقيق |
|
UM18-217126112 | SICK | ULTRASONIC SEN 20-250MM ANALOG | تحقيق |
|
SV250024 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 24VAC | تحقيق |
|
SV260230 | Carlo Gavazzi | LVL RLY CAP DPDT 230VAC | تحقيق |
 |
SV21C201BJA01B00 | Murata Electronics | SENSOR ROTARY CONNECTOR | تحقيق |
|
IMN66188P | Crouzet | IPD M18 NONSHLD 2W AC NC PLUG | تحقيق |
|
E2B-S08LN02-MC-B1 | Omron Automation & Safety | SINGLE M8 LONG M8 CN PNP NO | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل