STTH802CB-TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH802CB-TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH802CB-TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH802CB-TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH802CB-TR
- رقم القطعة:
- STTH802CB-TR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE ARRAY GP 200V 4A DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52239 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH802CB-TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 4A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 20ns |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | 497-4753-1 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 175°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 4A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 4µA @ 200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 4A |
| رقم جزء القاعدة: | STTH802C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH802CB-TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH802CFP | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 4A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH803G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH802B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK | تحقيق |
 |
STTH802BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK | تحقيق |
 |
STTH8003CY | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 300V 40A MAX247 | تحقيق |
 |
STTH806D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH75S12W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DO247 | تحقيق |
|
STTH802B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK | تحقيق |
 |
STTH61W04SW | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | تحقيق |
|
STTH802G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK | تحقيق |
|
STTH803D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH61R04TV2 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 30A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH61R04TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 30A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH806DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | تحقيق |
|
STTH802G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH802CT | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 4A TO220AB | تحقيق |
|
STTH802D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | تحقيق |
|
STTH802CB | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 4A DPAK | تحقيق |
 |
STTH802FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH8006W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 80A DO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار