STTH512B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH512B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH512B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH512B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH512B
- رقم القطعة:
- STTH512B
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21340 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH512B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 5A |
| الجهد - انهيار: | D-Pak |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 95ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | STTH512B |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount D-Pak |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 1200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2.2V @ 5A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1200V (1.2kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH512B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH5L06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD | تحقيق |
 |
STTH512FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH5BCF060 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD | تحقيق |
 |
STTH506B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | تحقيق |
 |
STTH4R06DEE-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STTH5L04DEE-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STTH5L06D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | تحقيق |
|
STTH5L06FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP | تحقيق |
|
STTH5L06B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | تحقيق |
|
STTH5L06B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | تحقيق |
 |
STTH506DTI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | تحقيق |
|
STTH512D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220AC | تحقيق |
|
STTH506D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC | تحقيق |
 |
STTH506TTI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB | تحقيق |
 |
STTH504U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 5A | تحقيق |
|
STTH506B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | تحقيق |
 |
STTH50W03CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 300V 25A TO247 | تحقيق |
 |
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | تحقيق |
 |
STTH50W06SW | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 50A TO247 | تحقيق |
|
STTH512B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق