STTH4R02B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH4R02B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH4R02B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH4R02B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH4R02B
- رقم القطعة:
- STTH4R02B
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22066 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH4R02B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 4A |
| الجهد - انهيار: | D-Pak |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 30ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | STTH4R02B |
| وصف موسع: | Diode Standard 200V 4A Surface Mount D-Pak |
| تكوين الصمام الثنائي: | 3µA @ 200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.05V @ 4A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 200V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH4R02B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH4R02S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | تحقيق |
 |
STTH40P03SFP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH4R02FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | تحقيق |
 |
STTH3R06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | تحقيق |
 |
STTH4R02RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | تحقيق |
 |
STTH4L06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | تحقيق |
|
STTH3R06S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A SMC | تحقيق |
 |
STTH3R06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 3A SMBFLAT | تحقيق |
|
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | تحقيق |
|
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | تحقيق |
 |
STTH4L06QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO15 | تحقيق |
 |
STTH40P03ST | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220AB | تحقيق |
 |
STTH4R06DEE-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT | تحقيق |
|
STTH4R02SY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | تحقيق |
|
STTH4R02BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | تحقيق |
 |
STTH4R02D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC | تحقيق |
|
STTH4L06Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO15 | تحقيق |
|
STTH4L06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | تحقيق |
|
STTH4R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل