STTH2R06A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH2R06A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH2R06A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH2R06A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH2R06A
- رقم القطعة:
- STTH2R06A
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 2A SMA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29228 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH2R06A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 2A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | DO-214AC, SMA |
| اسماء اخرى: | 497-3777-1 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 29 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount SMA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | STTH2R06 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH2R06A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH2L06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
 |
STTH2R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB | تحقيق |
|
STTH2R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB | تحقيق |
 |
STTH3002CT | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB | تحقيق |
 |
STTH3002CG-TR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | تحقيق |
 |
STTH2R02Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 | تحقيق |
 |
STTH2R02AFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SOD128 | تحقيق |
|
STTH2R06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
 |
STTH2R06S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMC | تحقيق |
|
STTH2R06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB | تحقيق |
 |
STTH2R06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT | تحقيق |
|
STTH3002CG | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | تحقيق |
|
STTH2L06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB | تحقيق |
|
STTH2R02QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 | تحقيق |
 |
STTH3002CR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A I2PAK | تحقيق |
 |
STTH3002CW | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3 | تحقيق |
 |
STTH3002CPI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A 3TOPI | تحقيق |
|
STTH2R06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
|
STTH2L06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT | تحقيق |
 |
STTH2R02A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SMA | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM