STTH2R02Q متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH2R02Q، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH2R02Q عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH2R02Q مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH2R02Q
- رقم القطعة:
- STTH2R02Q
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 2A DO15
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27846 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH2R02Q.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2A |
| الجهد - انهيار: | DO-15 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Box (TB) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-204AC, DO-15, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 30ns |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | STTH2R02Q |
| وصف موسع: | Diode Standard 200V 2A Through Hole DO-15 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 3µA @ 200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1V @ 2A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 200V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH2R02Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH2R06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
 |
STTH2R06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT | تحقيق |
 |
STTH2R02AFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SOD128 | تحقيق |
|
STTH2L06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT | تحقيق |
 |
STTH2R06A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMA | تحقيق |
|
STTH2R02A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SMA | تحقيق |
 |
STTH212S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC | تحقيق |
 |
STTH2R06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB | تحقيق |
 |
STTH2R02QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 | تحقيق |
|
STTH2L06A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMA | تحقيق |
|
STTH2R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB | تحقيق |
|
STTH2L06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
 |
STTH212RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD | تحقيق |
|
STTH2R06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
|
STTH2R06S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMC | تحقيق |
 |
STTH3002CG | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | تحقيق |
|
STTH2L06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 | تحقيق |
|
STTH212U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMB | تحقيق |
|
STTH2R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB | تحقيق |
|
STTH2L06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS