STTH1R06A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STTH1R06A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STTH1R06A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STTH1R06A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STTH1R06A
- رقم القطعة:
- STTH1R06A
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34028 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STTH1R06A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | SMA |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-214AC, SMA |
| اسماء اخرى: | 497-3765-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 45ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STTH1R06A |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMA |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1µA @ 600V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.7V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 600V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH1R06A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH1R04Q | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO15 | تحقيق |
 |
STTH2002CR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A I2PAK | تحقيق |
 |
STTH1R04AY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | تحقيق |
 |
STTH1R06 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
 |
STTH2002CG | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1R04A | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | تحقيق |
|
STTH1R04QRL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO15 | تحقيق |
 |
STTH2002CFP | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH1R02ZFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F | تحقيق |
 |
STTH1R04U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMB | تحقيق |
|
STTH2002CG-TR | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK | تحقيق |
|
STTH1R06U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A SMB | تحقيق |
 |
STTH1R06UFY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A SMBFLAT | تحقيق |
 |
STTH20004TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 400V 120A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH1R06RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
|
STTH20003TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP | تحقيق |
 |
STTH1R04UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A SMB | تحقيق |
|
STTH1R04 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
|
STTH20002TV1 | STMicroelectronics | DIODE MODULE 200V 120A ISOTOP | تحقيق |
|
STTH1R04RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة