العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STS2DPFS20V
STS2DPFS20V
STS2DPFS20V
رقم القطعة:
STS2DPFS20V
الصانع:
STMicroelectronics
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
36227 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
STS2DPFS20V.pdf
تحقيق

المقدمة

STS2DPFS20V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STS2DPFS20V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STS2DPFS20V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STS2DPFS20V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:600mV @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:STripFET™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:200 mOhm @ 1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:497-3225-2
STS2DPFS20V-E
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:315pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4.7nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.7V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:P-Channel 20V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTS2DPFS20V

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STS26N3LLH6 Image STS26N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC تحقيق
STS25NH3LL Image STS25NH3LL STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC تحقيق
STS210101L360500G918 Cantherm THERMISTOR PTC 1.01K OHM 1% AXL تحقيق
STS210101CHIP Cantherm THERMISTOR PTC 1.01K OHM 1% AXL تحقيق
STS4DNF60L Image STS4DNF60L STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC تحقيق
STS21 Image STS21 Sensirion SENSOR DIGITAL -40C-125C 6DFN تحقيق
STS35-DIS Image STS35-DIS Sensirion SENSOR DIGITAL 20C-60C 8TDFN تحقيق
STS2DPF80 Image STS2DPF80 STMicroelectronics MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC تحقيق
STS210101L360500U129 Cantherm THERMISTOR PTC 1.01K OHM 1% AXL تحقيق
STS30N3LLH6 Image STS30N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC تحقيق
STS4C3F60L Image STS4C3F60L STMicroelectronics MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC تحقيق
STS3P6F6 Image STS3P6F6 STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC تحقيق
STS3DNE60L Image STS3DNE60L STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC تحقيق
STS3DPF60L Image STS3DPF60L STMicroelectronics MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC تحقيق
STS25NH3LL-E Image STS25NH3LL-E STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC تحقيق
STS20N3LLH6 Image STS20N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC تحقيق
STS2DNF30L Image STS2DNF30L STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC تحقيق
STS3C2F100 Image STS3C2F100 STMicroelectronics MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC تحقيق
STS4DNF30L Image STS4DNF30L STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC تحقيق
STS4DNF60 Image STS4DNF60 STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC تحقيق

Latest الأخبار