STP5NK52ZD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STP5NK52ZD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STP5NK52ZD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STP5NK52ZD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STP5NK52ZD
- رقم القطعة:
- STP5NK52ZD
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56694 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STP5NK52ZD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | SuperMESH™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | 497-5953-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 529pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 520V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 520V 4.4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTP5NK52ZD
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STP60NE06-16 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | تحقيق |
|
STP5NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220 | تحقيق |
|
STP5NK40Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 3A TO-220 | تحقيق |
|
STP60N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
|
STP5N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB | تحقيق |
|
STP5NB40 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220 | تحقيق |
 |
STP5NK80ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP | تحقيق |
|
STP5NK65Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP | تحقيق |
|
STP60N3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 | تحقيق |
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220 | تحقيق |
|
STP5N95K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB | تحقيق |
|
STP5NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220 | تحقيق |
|
STP5NK50ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220FP | تحقيق |
|
STP5NK50Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 | تحقيق |
|
STP5N80K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., | تحقيق |
|
STP5NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 | تحقيق |
|
STP5NB60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 | تحقيق |
|
STP5N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220 | تحقيق |
|
STP5NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP | تحقيق |
|
STP5NK65ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل