STP3NB100 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STP3NB100، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STP3NB100 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STP3NB100 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STP3NB100
- رقم القطعة:
- STP3NB100
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 39768 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STP3NB100.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | PowerMESH™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | 497-2641-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1000V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTP3NB100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STP36NF06FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP | تحقيق |
 |
STP3LN62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220 | تحقيق |
|
STP3N150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220 | تحقيق |
|
STP40N20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 | تحقيق |
|
STP400N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V TO-220 | تحقيق |
|
STP36NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 | تحقيق |
|
STP3NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP | تحقيق |
|
STP3NK90ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP | تحقيق |
 |
STP3LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 | تحقيق |
|
STP40N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A TO220 | تحقيق |
|
STP3HNK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 | تحقيق |
|
STP3NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220 | تحقيق |
|
STP36NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 | تحقيق |
|
STP3NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220 | تحقيق |
|
STP3N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220 | تحقيق |
|
STP3N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220 | تحقيق |
 |
STP3NK50Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB | تحقيق |
|
STP38N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 30A TO-220 | تحقيق |
|
STP3NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 | تحقيق |
|
STP3NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل