STN5PF02V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STN5PF02V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STN5PF02V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STN5PF02V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STN5PF02V
- رقم القطعة:
- STN5PF02V
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38450 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STN5PF02V.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 450mV @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | STripFET™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 80 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | 497-4364-2 STN5PF20V |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 412pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6nC @ 2.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | P-Channel 20V 4.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTN5PF02V
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STN4NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | تحقيق |
 |
STN4NF20L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | تحقيق |
|
STN715 | STMicroelectronics | TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 | تحقيق |
|
STN3NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 | تحقيق |
|
STN4NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | تحقيق |
|
STN724 | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 3A SOT-223 | تحقيق |
|
STN3N45K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223 | تحقيق |
|
STN3P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V SOT-223 | تحقيق |
|
STN83003 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223 | تحقيق |
|
STN3PF06 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 | تحقيق |
|
STN851-A | STMicroelectronics | TRANS NPN 60V 5A SOT-22 | تحقيق |
|
STN817A | STMicroelectronics | TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 | تحقيق |
|
STN3N40K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | تحقيق |
|
STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | تحقيق |
|
STN749 | STMicroelectronics | TRANS PNP 25V 3A SOT223 | تحقيق |
|
STN690A | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 3A SOT223 | تحقيق |
|
STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | تحقيق |
|
STN851 | STMicroelectronics | TRANS NPN 60V 5A SOT-223 | تحقيق |
|
STN790A | STMicroelectronics | TRANS PNP 30V 3A SOT223 | تحقيق |
|
STN878 | STMicroelectronics | TRANS NPN 30V 5A SOT-223 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي