STL52N25M5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STL52N25M5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STL52N25M5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STL52N25M5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STL52N25M5
- رقم القطعة:
- STL52N25M5
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37579 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STL52N25M5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 100µA |
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerFlat™ (5x6) |
| سلسلة: | MDmesh™ V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 65 mOhm @ 14A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | 497-10783-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1770pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 47nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 250V 28A (Tc) 2.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTL52N25M5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STL5N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL50N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL60N32N3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT | تحقيق |
 |
STL51N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56 | تحقيق |
|
STL58N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL55NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL56N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL60NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5 | تحقيق |
 |
STL4P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL50NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 | تحقيق |
|
STL4N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT | تحقيق |
|
STL50DN6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT | تحقيق |
|
STL45P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL60N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL60P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT | تحقيق |
|
STL4LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL60N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6 | تحقيق |
|
STL4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT | تحقيق |
|
STL4P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي