STL220N6F7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STL220N6F7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STL220N6F7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STL220N6F7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STL220N6F7
- رقم القطعة:
- STL220N6F7
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56322 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STL220N6F7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerFlat™ (5x6) |
| سلسلة: | STripFET™ F7 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 4.8W (Ta), 187W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | 497-15914-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 38 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 100nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 60V 260A (Tc) 4.8W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 260A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTL220N6F7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STL210N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL22N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV | تحقيق |
|
STL23NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL24N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP., | تحقيق |
|
STL24NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL20DN10F7 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 | تحقيق |
 |
STL23NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 | تحقيق |
|
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | تحقيق |
 |
STL225N6F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL25N15F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL220N3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 | تحقيق |
|
STL20NF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL23NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 | تحقيق |
 |
STL20N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 100A | تحقيق |
|
STL20NM20N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 | تحقيق |
|
STL19N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL200N45LF7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT | تحقيق |
|
STL21N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 | تحقيق |
|
STL24N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي