STGB3NB60FDT4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STGB3NB60FDT4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STGB3NB60FDT4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STGB3NB60FDT4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STGB3NB60FDT4
- رقم القطعة:
- STGB3NB60FDT4
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IGBT 600V 6A 68W D2PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 50166 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STGB3NB60FDT4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 3A |
| اختبار حالة: | 480V, 3A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 12.5ns/105ns |
| تحويل الطاقة: | 125µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | PowerMESH™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 45ns |
| السلطة - ماكس: | 68W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-2449-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 16nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 24A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 6A |
| رقم جزء القاعدة: | STG*3NB |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGB3NB60FDT4
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل