STE4700-10T3KI متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STE4700-10T3KI، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STE4700-10T3KI عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STE4700-10T3KI مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STE4700-10T3KI
- رقم القطعة:
- STE4700-10T3KI
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT 4700UF 10V 10% AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 49054 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STE4700-10T3KI.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 10V |
| اكتب: | Hermetically Sealed |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.406" Dia x 0.766" L (10.31mm x 19.46mm) |
| سلسلة: | SuperTan®, Extended STE |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial, Can |
| اسماء اخرى: | 718-1686 STE4700-10T3KI-ND STE470010T3KI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | T3 |
| عمر @ درجة الحرارة.: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Wet Tantalum |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 350 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 4700µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 10V Axial, Can 350 mOhm |
| مواسعة: | 4700µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTE4700-10T3KI
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي