STD5407NNT4G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STD5407NNT4G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STD5407NNT4G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STD5407NNT4G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STD5407NNT4G
- رقم القطعة:
- STD5407NNT4G
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V DPAK-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38942 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STD5407NNT4G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTD5407NNT4G
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة