STBP120BVDK6F متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل STBP120BVDK6F، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل STBP120BVDK6F عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء STBP120BVDK6F مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
STBP120BVDK6F
- رقم القطعة:
- STBP120BVDK6F
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC OVP W/THERMAL SHUTDOWN 10TDFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51880 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- STBP120BVDK6F.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.2 V ~ 28 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-TDFN (2.5x2.0) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-WFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 497-8983-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 40 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Overload Protection PMIC 10-TDFN (2.5x2.0) |
| الحالي - توريد: | 170µA |
| رقم جزء القاعدة: | STBP120 |
| التطبيقات: | Overload Protection |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTBP120BVDK6F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STBP120AVDK6F | STMicroelectronics | IC OVP W/THERMAL SHUTDOWN 10TDFN | تحقيق |
|
STBB3NJR | STMicroelectronics | IC REG BCK | تحقيق |
 |
STBR6012WY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247 | تحقيق |
 |
STBCFG01JR | STMicroelectronics | IC BATT CHARGE LI-ION 25FLIPCHIP | تحقيق |
|
STBP120DVDK6F | STMicroelectronics | IC OVP W/THERMAL SHUTDOWN 10TDFN | تحقيق |
|
STBC15QTR | STMicroelectronics | BATTERY CHARGERS | تحقيق |
|
STBR3012WY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247 | تحقيق |
|
STBR6012W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247 | تحقيق |
 |
STBC21FTR | STMicroelectronics | IC LI-PLUS BATT CHARG 14HTSSOP | تحقيق |
|
STBP120CVDK6F | STMicroelectronics | IC OVP W/THERMAL SHUTDOWN 10TDFN | تحقيق |
 |
STBC02JR | STMicroelectronics | LI-ION LINEAR BATTERY CHARGER WI | تحقيق |
|
STBR3012W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247 | تحقيق |
 |
STBV32-AP | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 | تحقيق |
|
STBC03JR | STMicroelectronics | IC BATT CHG LI-ION 30-FLIP CHIP | تحقيق |
|
STBC02AJR | STMicroelectronics | LI-ION LINEAR BATTERY CHARGER WI | تحقيق |
|
STBC02BJR | STMicroelectronics | LI-ION LINEAR BATTERY CHARGER WI | تحقيق |
|
STBV32G | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 | تحقيق |
 |
STBC08PMR | STMicroelectronics | IC BATT CHRGR LI-ION 800MA DFN6 | تحقيق |
|
STBV42 | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1A TO-92 | تحقيق |
|
STBV32G-AP | STMicroelectronics | TRANS NPN 400V 1.5A TO-92AP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات