ST890CDR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ST890CDR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ST890CDR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ST890CDR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ST890CDR
- رقم القطعة:
- ST890CDR
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC PWR SWITCH MOSFET P-CH 8-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56348 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ST890CDR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | - |
| رديز أون (تيب): | 75 mOhm |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | P-Channel |
| تكوين الناتج: | High Side |
| اسماء اخرى: | 497-6543-2 ST890CDR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting (Adjustable), Over Temperature |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 1.2A |
| رقم جزء القاعدة: | ST890 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لST890CDR
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي