SRU1048-3R0Y متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SRU1048-3R0Y، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SRU1048-3R0Y عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SRU1048-3R0Y مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SRU1048-3R0Y
- رقم القطعة:
- SRU1048-3R0Y
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 3UH 6.2A 7.2 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23084 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SRU1048-3R0Y.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±30% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SRU1048 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 14 @ 7.96MHz |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | SRU1048-3R0YCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 3µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.201" (5.10mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 40MHz |
| وصف تفصيلي: | 3µH Shielded Wirewound Inductor 6.2A 7.2 mOhm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 7.2 mOhm |
| التصويت الحالي: | 6.2A |
| الحالي - التشبع: | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSRU1048-3R0Y
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SRU1048-151Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 1A 235 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-4R7Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 5.5A 9.5 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-471Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 470UH SMD | تحقيق |
|
SRU1048-2R2Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 6.5A 5.3 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-8R2Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 8.2UH 4.6A 15 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-331Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 330UH 650MA 490 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-680Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 68UH 1.4A 127 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-101Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 1.2A 160 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-1R5Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 7A 4.3 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-221Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 800MA 350 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-560Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 56UH 1.6A 110 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-820Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 82UH 1.3A 149 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-3R3Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3UH SMD | تحقيق |
|
SRU1048-6R8Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 4.8A 13.6 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-150Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 3.2A 29 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-330Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 2.1A 63 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-470Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 47UH 1.7A 94 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-561Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 560UH 470MA 890 MOHM | تحقيق |
|
SRU1048-120Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 12UH 4A 25 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRU1048-220Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 2.6A 42 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل