SRR1260-181K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SRR1260-181K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SRR1260-181K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SRR1260-181K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SRR1260-181K
- رقم القطعة:
- SRR1260-181K
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 180UH 1.4A 320 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36869 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SRR1260-181K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SRR1260 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 26 @ 796kHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | SRR1260-181K-ND SRR1260-181KTR SRR1260181K |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 180µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.256" (6.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 4.5MHz |
| وصف تفصيلي: | 180µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 320 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 320 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.4A |
| الحالي - التشبع: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSRR1260-181K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SRR1260-2R2Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 8.2A 10.5 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-2R4Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.4UH 7.8A 11.5 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 5A 27 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 5.5A 20 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-121K | Bourns, Inc. | FIXED IND 120UH 1.65A 210 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-221K | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 1.38A 380 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-180M | Bourns, Inc. | FIXED IND 18UH 4.2A 36 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 4A 43 MOHM SMD | تحقيق |
 |
SRR1240-821K | Bourns, Inc. | FIXED IND 820UH 450MA 2.4 OHM | تحقيق |
|
SRR1260-270M | Bourns, Inc. | FIXED IND 27UH 3.6A 45 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1240-8R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 8.2UH 4.5A 27 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-102K | Bourns, Inc. | FIXED IND 1MH 680MA 1.7 OHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-1R0Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 9.4A 7.8 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-330M | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 3A 60 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-101M | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 1.7A 180 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-1R2Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.2UH 9.2A 8 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-151K | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 1.55A 260 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-271K | Bourns, Inc. | FIXED IND 270UH 1.3A 450 MOHM | تحقيق |
|
SRR1260-120M | Bourns, Inc. | FIXED IND 12UH 5.2A 23 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRR1260-1R5Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 8.8A 9.5 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل