SRP1235-4R7M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SRP1235-4R7M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SRP1235-4R7M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SRP1235-4R7M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SRP1235-4R7M
- رقم القطعة:
- SRP1235-4R7M
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 4.7UH 10A 15 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29804 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SRP1235-4R7M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.547" L x 0.531" W (13.90mm x 13.50mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SRP1235 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | SRP1235-4R7M-ND SRP1235-4R7MTR SRP12354R7M |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Iron |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 4.7µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.146" (3.70mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 16MHz |
| وصف تفصيلي: | 4.7µH Shielded Inductor 10A 15 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 15 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 10A |
| الحالي - التشبع: | 16A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSRP1235-4R7M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SRP1235-R33M | Bourns, Inc. | FIXED IND 330NH 36.5A 1.5 MOHM | تحقيق |
|
SRP1235-R47M | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 32A 2 MOHM SMD | تحقيق |
 |
SRP1206-R80Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 800NH 26A 3.2 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-5R6M | Bourns, Inc. | FIXED IND 5.6UH 10A 18 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-1R0M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 24A 3.5 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-1R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.2UH 21A 4.5 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-R60M | Bourns, Inc. | FIXED IND 600NH 29A 2.5 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-6R8M | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 9A 22 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-8R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 8.2UH 8.5A 28 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-R15M | Bourns, Inc. | FIXED IND 150NH 41A 1.2 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1206-R47Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 30A 2.3 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-R67M | Bourns, Inc. | FIXED IND 670NH 28A 2.5 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-R22M | Bourns, Inc. | FIXED IND 220NH 38.5A 1.3 MOHM | تحقيق |
|
SRP1206-R60Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 600NH 28A 2.3 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-2R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 16A 8 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-1R5M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 19A 5.5 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-R10M | Bourns, Inc. | FIXED IND 100NH 43A 960 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 7A 34 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-3R3M | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3UH 12A 12 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRP1235-1R8M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.8UH 16.5A 7 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل