SRE6603-222M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SRE6603-222M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SRE6603-222M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SRE6603-222M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SRE6603-222M
- رقم القطعة:
- SRE6603-222M
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 2.2MH 100MA 8.5 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27840 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SRE6603-222M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SRE6603 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 50 @ 100kHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 2.2mH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.115" (2.92mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 2MHz |
| وصف تفصيلي: | 2.2mH Shielded Wirewound Inductor 100mA 8.5 Ohm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 8.5 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 100mA |
| الحالي - التشبع: | 28mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSRE6603-222M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SRE6603-470M | Bourns, Inc. | FIXED IND 47UH 500MA 230 MOHM | تحقيق |
 |
SRE6603-680M | Bourns, Inc. | FIXED IND 68UH 400MA 290 MOHM | تحقيق |
|
SRE6603-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 800MA 90 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-102M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1MH 150MA 3.4 OHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-3R3M | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3UH 1.6A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-221M | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 220MA 770 MOHM | تحقيق |
|
SRE6603-101M | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 300MA 480 MOHM | تحقيق |
|
SRE6603-471M | Bourns, Inc. | FIXED IND 470UH 190MA 1.8 OHM | تحقيق |
|
SRE6603-1R0M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 3A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-2R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.8A 50 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-151M | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 260MA 590 MOHM | تحقيق |
|
SRE6603-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 700MA 110 MOHM | تحقيق |
|
SRE6603-472M | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7MH 60MA 13.9 OHM | تحقيق |
|
SRE6603-330M | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 600MA 190 MOHM | تحقيق |
|
SRE6603-152M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5MH 120MA 4.2 OHM | تحقيق |
|
SRE6603-4R7M | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 1.4A 60 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-332M | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3MH 80MA 11 OHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-1R5M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 2.8A 45 MOHM SMD | تحقيق |
|
SRE6603-331M | Bourns, Inc. | FIXED IND 330UH 200MA 1.4 OHM | تحقيق |
|
SRE6603-103M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10MH 20MA 32.8 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل