SQJ956EP-T1_GE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SQJ956EP-T1_GE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SQJ956EP-T1_GE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SQJ956EP-T1_GE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SQJ956EP-T1_GE3
- رقم القطعة:
- SQJ956EP-T1_GE3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- كمية المخزون:
- 53466 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SQJ956EP-T1_GE3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 34W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1395pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQJ956EP-T1_GE3
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي