SQ1563AEH-T1_GE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SQ1563AEH-T1_GE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SQ1563AEH-T1_GE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SQ1563AEH-T1_GE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SQ1563AEH-T1_GE3
- رقم القطعة:
- SQ1563AEH-T1_GE3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
- كمية المخزون:
- 58715 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SQ1563AEH-T1_GE3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 89pF @ 10V, 84pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 850mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 850mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQ1563AEH-T1_GE3
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي