SPD125-184M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SPD125-184M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SPD125-184M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SPD125-184M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SPD125-184M
- رقم القطعة:
- SPD125-184M
- الصانع:
- API Delevan
- وصف:
- FIXED IND 180UH 900MA 350 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 28906 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SPD125-184M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SPD125 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | SPD125-184M TR 500 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1kHz |
| الحث: | 180µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.236" (6.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 180µH Shielded Wirewound Inductor 900mA 350 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 350 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 900mA |
| الحالي - التشبع: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPD125-184M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD125-334M | API Delevan | FIXED IND 330UH 700MA 600 MOHM | تحقيق |
 |
SPD125-103M | API Delevan Inc. | FIXED IND 10UH 4A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-183M | API Delevan | FIXED IND 18UH 3A 70 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-273M | API Delevan | FIXED IND 27UH 2.3A 85 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-124M | API Delevan | FIXED IND 120UH 1.1A 250 MOHM | تحقيق |
|
SPD125-104M | API Delevan | FIXED IND 100UH 1.3A 210 MOHM | تحقيق |
|
SPD125-332M | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 5.5A 30 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-123M | API Delevan | FIXED IND 12UH 3.5A 60 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-222M | API Delevan | FIXED IND 2.2UH 7A 20 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-224M | API Delevan | FIXED IND 220UH 800MA 420 MOHM | تحقيق |
|
SPD125-103M | API Delevan | FIXED IND 10UH 4A 55 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-333M | API Delevan | FIXED IND 33UH 2.1A 95 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-394M | API Delevan | FIXED IND 390UH 650MA 750 MOHM | تحقيق |
|
SPD125-274M | API Delevan | FIXED IND 270UH 750MA 510 MOHM | تحقيق |
 |
SPD11N10 | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK | تحقيق |
|
SPD125-154M | API Delevan | FIXED IND 150UH 1A 300 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-393M | API Delevan | FIXED IND 39UH 2A 105 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-223M | API Delevan | FIXED IND 22UH 2.8A 75 MOHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-105M | API Delevan | FIXED IND 1MH 400MA 2 OHM SMD | تحقيق |
|
SPD125-153M | API Delevan | FIXED IND 15UH 3.3A 65 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل