SPC560P34L1CEFBY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SPC560P34L1CEFBY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SPC560P34L1CEFBY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SPC560P34L1CEFBY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SPC560P34L1CEFBY
- رقم القطعة:
- SPC560P34L1CEFBY
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC MCU 32BIT 192KB FLASH 64LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59726 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SPC560P34L1CEFBY.pdf2.SPC560P34L1CEFBY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 3 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 64-LQFP (10x10) |
| سرعة: | 64MHz |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100, SPC56 |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 12K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 192KB (192K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | DMA, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 64-LQFP |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 37 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 50 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | e200z0h Automotive, AEC-Q100, SPC56 Microcontroller IC 32-Bit 64MHz 192KB (192K x 8) FLASH 64-LQFP (10x10) |
| محولات البيانات: | A/D 16x10b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | e200z0h |
| الاتصال: | CANbus, LINbus, SPI, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | SPC560P34 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPC560P34L1CEFBY
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي