SP1812R-332G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SP1812R-332G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SP1812R-332G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SP1812R-332G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SP1812R-332G
- رقم القطعة:
- SP1812R-332G
- الصانع:
- API Delevan
- وصف:
- FIXED IND 3.3UH 1.06A 180 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34596 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SP1812R-332G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±2% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.189" L x 0.134" W (4.80mm x 3.40mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SP1812R |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | SP1812R-332G 650 TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 31 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1kHz |
| الحث: | 3.3µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.134" (3.40mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 3.3µH Shielded Inductor 1.06A 180 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 180 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.06A |
| الحالي - التشبع: | 1.15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSP1812R-332G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SP1812R-273K | API Delevan | FIXED IND 27UH 430MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-272K | API Delevan Inc. | FIXED IND 2.7UH 1.11A 160 MOHM | تحقيق |
|
SP1812R-334H | API Delevan | FIXED IND 330UH 136MA 10.9 OHM | تحقيق |
|
SP1812R-272J | API Delevan | FIXED IND 2.7UH 1.11A 160 MOHM | تحقيق |
|
SP1812R-273H | API Delevan | FIXED IND 27UH 430MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-274K | API Delevan | FIXED IND 270UH 143MA 9.8 OHM | تحقيق |
|
SP1812R-273G | API Delevan | FIXED IND 27UH 430MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-274J | API Delevan | FIXED IND 270UH 143MA 9.8 OHM | تحقيق |
|
SP1812R-332K | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 1.06A 180 MOHM | تحقيق |
|
SP1812R-332H | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 1.06A 180 MOHM | تحقيق |
|
SP1812R-333J | API Delevan | FIXED IND 33UH 408MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-333G | API Delevan | FIXED IND 33UH 408MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-332J | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 1.06A 180 MOHM | تحقيق |
|
SP1812R-273J | API Delevan | FIXED IND 27UH 430MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-274H | API Delevan | FIXED IND 270UH 143MA 9.8 OHM | تحقيق |
|
SP1812R-274G | API Delevan | FIXED IND 270UH 143MA 9.8 OHM | تحقيق |
|
SP1812R-333H | API Delevan | FIXED IND 33UH 408MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1812R-332K | API Delevan Inc. | FIXED IND 3.3UH 1.06A 180 MOHM | تحقيق |
|
SP1812R-334G | API Delevan | FIXED IND 330UH 136MA 10.9 OHM | تحقيق |
|
SP1812R-333K | API Delevan | FIXED IND 33UH 408MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل