SP1210-821G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SP1210-821G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SP1210-821G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SP1210-821G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SP1210-821G
- رقم القطعة:
- SP1210-821G
- الصانع:
- API Delevan
- وصف:
- FIXED IND 820NH 1.25A 133 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 39276 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SP1210-821G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±2% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.138" L x 0.105" W (3.51mm x 2.66mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | SP1210 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | SP1210-821G 650 TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 36 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 820nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.101" (2.57mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 820nH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 133 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 133 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.25A |
| الحالي - التشبع: | 1.42A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSP1210-821G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SP1210-681K | API Delevan | FIXED IND 680NH 1.32A 119 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-822J | API Delevan | FIXED IND 8.2UH 487MA 880 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-682G | API Delevan | FIXED IND 6.8UH 576MA 630 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-822G | API Delevan | FIXED IND 8.2UH 487MA 880 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-683J | API Delevan | FIXED IND 68UH 185MA 6.1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1210-682K | API Delevan | FIXED IND 6.8UH 576MA 630 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-683G | API Delevan | FIXED IND 68UH 185MA 6.1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1210-682H | API Delevan | FIXED IND 6.8UH 576MA 630 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-683H | API Delevan | FIXED IND 68UH 185MA 6.1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1210-822H | API Delevan | FIXED IND 8.2UH 487MA 880 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-823J | API Delevan | FIXED IND 82UH 162MA 7.9 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1210-821K | API Delevan | FIXED IND 820NH 1.25A 133 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-682J | API Delevan | FIXED IND 6.8UH 576MA 630 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-821H | API Delevan | FIXED IND 820NH 1.25A 133 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-821J | API Delevan | FIXED IND 820NH 1.25A 133 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-683K | API Delevan | FIXED IND 68UH 185MA 6.1 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1210-681J | API Delevan | FIXED IND 680NH 1.32A 119 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-823H | API Delevan | FIXED IND 82UH 162MA 7.9 OHM SMD | تحقيق |
|
SP1210-822K | API Delevan | FIXED IND 8.2UH 487MA 880 MOHM | تحقيق |
|
SP1210-823G | API Delevan | FIXED IND 82UH 162MA 7.9 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل