SN74LVTH240RGYRG4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74LVTH240RGYRG4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74LVTH240RGYRG4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74LVTH240RGYRG4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74LVTH240RGYRG4
- رقم القطعة:
- SN74LVTH240RGYRG4
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC BUFFER INVERT 3.6V 20VQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27248 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74LVTH240RGYRG4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-VQFN (3.5x4.5) |
| سلسلة: | 74LVTH |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | 3-State |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 2 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| نوع المنطق: | Buffer, Inverting |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| وصف تفصيلي: | Buffer, Inverting 2 Element 4 Bit per Element 3-State Output 20-VQFN (3.5x4.5) |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 64mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74LVTH240 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74LVTH240RGYRG4
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار