SN74LVC1G86QDCKRQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74LVC1G86QDCKRQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74LVC1G86QDCKRQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74LVC1G86QDCKRQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74LVC1G86QDCKRQ1
- رقم القطعة:
- SN74LVC1G86QDCKRQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE XOR 1CH 2-INP SC70-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44848 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74LVC1G86QDCKRQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-5 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100, 74LVC |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| اسماء اخرى: | 296-47672-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 5ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| نوع المنطق: | XOR (Exclusive OR) |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.1 V ~ 0.55 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 0.1 V ~ 3.8 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | XOR (Exclusive OR) IC 1 Channel SC-70-5 |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 15µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 32mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74LVC1G86QDCKRQ1
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي