SN74LVC1G00DPWR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74LVC1G00DPWR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74LVC1G00DPWR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74LVC1G00DPWR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74LVC1G00DPWR
- رقم القطعة:
- SN74LVC1G00DPWR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE NAND 1CH 2-INP 4X2SON
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59647 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74LVC1G00DPWR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-X2SON (0.8x0.8) |
| سلسلة: | 74LVC |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-XFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 296-37554-2 SN74LVC1G00DPWR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 4.3ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.7 V ~ 2 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 1 Channel 4-X2SON (0.8x0.8) |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 10µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 32mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74LVC1G00 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74LVC1G00DPWR
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل