SN74CBT3257CRGYR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74CBT3257CRGYR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74CBT3257CRGYR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74CBT3257CRGYR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74CBT3257CRGYR
- رقم القطعة:
- SN74CBT3257CRGYR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC QUAD 1:2 FET MUX/DEMUX 16VQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42929 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74CBT3257CRGYR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد المصدر التموين: | Single Supply |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| اكتب: | Multiplexer/Demultiplexer |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-VQFN (4x4) |
| سلسلة: | 74CBT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 296-19212-2 SN74CBT3257CRGYRG4 SN74CBT3257CRGYRG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الدوائر المستقلة: | 1 |
| وصف تفصيلي: | Multiplexer/Demultiplexer 4 x 2:1 16-VQFN (4x4) |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | - |
| الدارة الكهربائية: | 4 x 2:1 |
| رقم جزء القاعدة: | 74CBT3257 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74CBT3257CRGYR
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC