SN74BCT756DWR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74BCT756DWR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74BCT756DWR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74BCT756DWR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74BCT756DWR
- رقم القطعة:
- SN74BCT756DWR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC BUFFER INVERT 5.5V 20SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55437 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74BCT756DWR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-SOIC |
| سلسلة: | 74BCT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| نوع المخرجات: | Open Collector |
| اسماء اخرى: | SN74BCT756DWRE4 SN74BCT756DWRE4-ND SN74BCT756DWRG4 SN74BCT756DWRG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 2 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع المنطق: | Buffer, Inverting |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| وصف تفصيلي: | Buffer, Inverting 2 Element 4 Bit per Element Open Collector Output 20-SOIC |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | -, 64mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74BCT756 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74BCT756DWR
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي