SN74AUC1G00DBVR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74AUC1G00DBVR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74AUC1G00DBVR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74AUC1G00DBVR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74AUC1G00DBVR
- رقم القطعة:
- SN74AUC1G00DBVR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35365 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74AUC1G00DBVR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 0.8 V ~ 2.7 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-5 |
| سلسلة: | 74AUC |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SC-74A, SOT-753 |
| اسماء اخرى: | 296-13164-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 2ns @ 2.5V, 30pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0 V ~ 0.7 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.7V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 1 Channel SOT-23-5 |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 10µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 9mA, 9mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74AUC1G00 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74AUC1G00DBVR
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM