SN74ALS02ANSR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74ALS02ANSR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74ALS02ANSR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74ALS02ANSR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74ALS02ANSR
- رقم القطعة:
- SN74ALS02ANSR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43408 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74ALS02ANSR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SOP |
| سلسلة: | 74ALS |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-28652-2 SN74ALS02ANSR-ND SN74ALS02ANSRE4 SN74ALS02ANSRE4-ND SN74ALS02ANSRG4 SN74ALS02ANSRG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 12ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| نوع المنطق: | NOR Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.8V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 2V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NOR Gate IC 4 Channel 14-SOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 2.2mA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 400µA, 8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74ALS02 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74ALS02ANSR
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة