SN74ABT823DWR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SN74ABT823DWR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SN74ABT823DWR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SN74ABT823DWR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SN74ABT823DWR
- رقم القطعة:
- SN74ABT823DWR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC FF D-TYPE SNGL 9BIT 20SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48637 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SN74ABT823DWR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| اكتب: | D-Type |
| الزناد نوع: | Positive Edge |
| سلسلة: | 74ABT |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| نوع المخرجات: | Tri-State, Non-Inverted |
| اسماء اخرى: | 296-14678-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 1 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 9 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 6.1ns @ 5V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة: | 4pF |
| وظيفة: | Master Reset |
| الحالية - هادئة (Iq): | 250µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 32mA, 64mA |
| تردد على مدار الساعة: | 200MHz |
| رقم جزء القاعدة: | 74ABT823 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSN74ABT823DWR
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي