SMG200VB4R7M8X11LL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SMG200VB4R7M8X11LL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SMG200VB4R7M8X11LL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SMG200VB4R7M8X11LL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SMG200VB4R7M8X11LL
- رقم القطعة:
- SMG200VB4R7M8X11LL
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM 4.7UF 20% 200V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 24959 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SMG200VB4R7M8X11LL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 200V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| سلسلة: | SMG |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 55mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 137.5mA @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 0.138" (3.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.453" (11.50mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 1.205 Ohm @ 120Hz |
| وصف تفصيلي: | 4.7µF 200V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 1.205 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 4.7µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSMG200VB4R7M8X11LL
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC