SM2615JT9R10 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SM2615JT9R10، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SM2615JT9R10 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SM2615JT9R10 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SM2615JT9R10
- رقم القطعة:
- SM2615JT9R10
- الصانع:
- Stackpole Electronics, Inc.
- وصف:
- RES 9.1 OHM 5% 1W 2615
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56923 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SM2615JT9R10.pdf2.SM2615JT9R10.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2615 |
| حجم / البعد: | 0.280" L x 0.150" W (7.10mm x 3.80mm) |
| سلسلة: | SM |
| وضع لوحة: | 9.1 Ohms |
| السلطة (واتس): | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2615 J-Lead |
| اسماء اخرى: | SM 1 9.1 5% R SM19.15%R SM19.15%R-ND SM19.1JR SM19.1JR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 275°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.155" (3.94mm) |
| الميزات: | Moisture Resistant, Pulse Withstanding |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 9.1 Ohms ±5% 1W Chip Resistor 2615 J-Lead Moisture Resistant, Pulse Withstanding Wirewound |
| تركيب: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSM2615JT9R10
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC