SLG55596AV متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SLG55596AV، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SLG55596AV عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SLG55596AV مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SLG55596AV
- رقم القطعة:
- SLG55596AV
- الصانع:
- Silego Technology
- وصف:
- BCID. WITH USB DATA SWITCH, CEN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54625 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SLG55596AV.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 4.5 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| تبديل الدائرة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TDFN (2x2) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1827-1000-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 7 Ohm |
| عدد القنوات: | 2 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | USB Switch IC 2 Channel 8-TDFN (2x2) |
| التطبيقات: | USB |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 1GHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSLG55596AV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SLG59M1527V | Silego Technology | DUAL LOAD SWITCH IN SINGLE PACKA | تحقيق |
 |
SLG59M1512V | Silego Technology | IN A SINGLE 1.6 MM PACKAGE, A 2 | تحقيق |
 |
SLG59M1496V | Silego Technology | CHARGE PUMP, RAMP CONTROL, PROTE | تحقيق |
|
SLG59M1446V | Silego Technology | DUAL LOAD SWITCH IN SINGLE PACKA | تحقيق |
 |
SLG3NB3331V | Silego Technology | A 4-OUTPUT GREENCLK. 3X 25 MHZ, | تحقيق |
|
SLG3NT3353V | Silego Technology | A 1:4 CLOCK BUFFER. 25 MHZ. | تحقيق |
 |
SLG59H1120V | Silego Technology | A 4.8 MM POWER CONTROL SWITCH W | تحقيق |
 |
SLG59M1470V | Silego Technology | NANOPOWERFET A 3 MM FAST TURN | تحقيق |
 |
SLG59M1442V | Silego Technology | A 1MM2 POWER SWITCH WITH CHARGE | تحقيق |
|
SLG59M1456V | Silego Technology | CHARGE PUMP, RAMP CONTROL, DISCH | تحقيق |
|
SLG59M1460V | Silego Technology | NANOPOWERFET A 1.6 MM FAST TU | تحقيق |
|
SLG59M1457V | Silego Technology | ULTRA-SMALL 7.8 MO / 6 A POWER S | تحقيق |
|
SLG59M1515V | Silego Technology | CONFIGUREABLE SLEW RATE CONTROL, | تحقيق |
|
SLG3SY3952V | Silego Technology | A 1:3 CLOCK BUFFER. 26 MHZ. 1.8V | تحقيق |
 |
SLG55021-200010V | Silego Technology | N-CHANNEL MOSFET DRIVERS WITH IN | تحقيق |
|
SLG59M1495V | Silego Technology | ULTRA SMALL SIZE LOAD SWITCH. N- | تحقيق |
|
SLG59M1448V | Silego Technology | CHARGE PUMP, RAMP CONTROL, DISCH | تحقيق |
|
SLG59M1440V | Silego Technology | ULTRA SMALL SIZE. CHARGE PUMP, R | تحقيق |
|
SLG3GP170V | Silego Technology | A 1:4 CLOCK BUFFER. DC UP TO 100 | تحقيق |
|
SLG3NT3342V | Silego Technology | A 5-OUTPUT GREENCLK. 12 MHZ, 2X | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل