SIZ988DT-T1-GE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIZ988DT-T1-GE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIZ988DT-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIZ988DT-T1-GE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIZ988DT-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SIZ988DT-T1-GE3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- كمية المخزون:
- 23393 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SIZ988DT-T1-GE3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-PowerPair® |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 20.2W, 40W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A (Tc), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIZ988DT-T1-GE3
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC