SIT9002AC-08H25DD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT9002AC-08H25DD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT9002AC-08H25DD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT9002AC-08H25DD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT9002AC-08H25DD
- رقم القطعة:
- SIT9002AC-08H25DD
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26494 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.SIT9002AC-08H25DD.pdf2.SIT9002AC-08H25DD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.5V |
| اكتب: | XO (Standard) |
| انتشار الطيف الترددي: | ±0.50%, Center Spread |
| حجم / البعد: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| سلسلة: | SiT9002 |
| تصنيفات: | - |
| برمجة نوع: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, No Lead |
| الناتج: | LVPECL |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 70°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع: | 0.039" (1.00mm) |
| وظيفة: | - |
| استقرار التردد (الإجمالي): | - |
| تردد الاستقرار: | ±25ppm |
| وصف تفصيلي: | XO (Standard) LVPECL 1MHz ~ 198MHz Programmable Oscillator 2.5V 6-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 84mA |
| الرنان الأساسي: | MEMS |
| available حدود التردد: | 1MHz ~ 198MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT9002AC-08H25DD
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT9002AC-08H25DK | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
 |
SIT9002AC-083N33EB125.00000T | SiTime | OSC XO 3.3V 125MHZ OE 0.25% | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25DQ | SiTime | OSC PROG LVPECL DWN SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25DX | SiTime | OSC PROG LVPECL DWN SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EO125.00000T | SiTime | OSC MEMS 125.0000MHZ LVPECL SMD | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EO100.00000Y | SiTime | OSC MEMS 100.0000MHZ LVPECL SMD | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25DO | SiTime | OSC PROG LVPECL DWN SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25EG | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EO125.00000Y | SiTime | OSC MEMS 125.0000MHZ LVPECL SMD | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EB115.00000Y | SiTime | OSC XO 3.3V 115MHZ OE 0.25% | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25EK | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25DT | SiTime | OSC PROG LVPECL DWN SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EB125.00000Y | SiTime | OSC XO 3.3V 125MHZ OE 0.25% | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25DG | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EO156.25000Y | SiTime | OSC MEMS 156.2500MHZ LVPECL SMD | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EO100.00000T | SiTime | OSC MEMS 100.0000MHZ LVPECL SMD | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25ED | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-083N33EO156.25000T | SiTime | OSC MEMS 156.2500MHZ LVPECL SMD | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25DB | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
|
SIT9002AC-08H25EB | SiTime | OSC PROG LVPECL CTR SPRD 2.5V | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل